रेडियल लीड जिंक ऑक्साइड Varistor 32D431K 32D561K जनरेटर के लिए Varistor
उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
ब्रांड नाम: | TIAN RUI |
प्रमाणन: | UL CSA VDE |
मॉडल संख्या: | 32D Varistors |
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: | 1000pcs |
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मूल्य: | Negotiable |
पैकेजिंग विवरण: | थोक |
प्रसव के समय: | 5-7 दिन |
भुगतान शर्तें: | डी / पी, टी / टी, पेपैल, वेस्टर्न यूनियन |
आपूर्ति की क्षमता: | 1000000pcs / माह |
विस्तार जानकारी |
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प्रोडक्ट का नाम: | 32D ZOV मेटल ऑक्साइड जिंक Varistor | भाग संख्या: | ZOV32D201K~162K |
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परत: | एपॉक्सी रेजि़न | प्रमुख: | घन तार |
इलेक्ट्रोड: | चाँदी | डिस्क: | जिंक आक्साइड |
मिलाप: | एसएन: 96.5% सीयू 0.5% Ag3.0% | तापमान सीमा संचालित करना: | -40 ℃ ~ + 85 ℃ |
स्टोरेज टेंपरेचर रेंज: | -40 ℃ ~ + 125 ℃ | पैकेट: | पीई बैग |
हाई लाइट: | रेडियल लीड जिंक ऑक्साइड Varistor,32D561K जिंक ऑक्साइड Varistor,32D431K जनरेटर के लिए Varistor |
उत्पाद विवरण
32D 32MM सीरीज क्लैंपिंग वोल्टेज रेसिस्टर रेडियल लीड 32D431K 32D561K जेनरेटर के लिए ZOV मेटल ऑक्साइड जिंक Varistor
तालिका नंबर एक | ||||||||||
इकाई: मिमी | ||||||||||
प्रतीक | आयाम | |||||||||
डी (अधिकतम) | 38.0 | |||||||||
एच (अधिकतम) | 56.3 | |||||||||
एफ (± 1.0) | 25.4 | |||||||||
टी (अधिकतम) | तालिका 2 | |||||||||
टी (± 0.25) | 0.5 | |||||||||
एल (मिनट) | 14.5 | |||||||||
के (अधिकतम) | 3.2 | |||||||||
डब्ल्यू (± 0.5) | 7.0 | |||||||||
ΦM3 (± 0.2) | 3.2 | |||||||||
एपॉक्सी रंग: हरा |
तालिका 2 | |||||||||||||||||||
इकाई: मिमी | |||||||||||||||||||
आदर्श | टी | आदर्श | टी | ||||||||||||||||
201K | 6.2 | 751K | 9.4 | ||||||||||||||||
241K | 6.4 | 781K | 9.6 | ||||||||||||||||
271K | 6.6 | 821K | 9.8 | ||||||||||||||||
331K | 6.9 | 911K | 10.4 | ||||||||||||||||
361K | 7.1 | 951K | 10.6 | ||||||||||||||||
391K | 7.3 | 102K | 11.2 | ||||||||||||||||
431K | 7.5 | 112K | 11.8 | ||||||||||||||||
471K | 7.8 | 122K | 12.3 | ||||||||||||||||
511K | 8.0 | 142K | 13.3 | ||||||||||||||||
621K | 8.7 | 162K | 14.3 | ||||||||||||||||
681K | 9.0 |
विद्युत विशेषतायें | |||||||||||||||||||||||||||||||
ZOV भाग संख्या |
अधिकतम स्वीकार्य वोल्टेज | वैरिस्टर वोल्टेज | IR3 | @ | अधिकतम क्लैंपिंग वोल्टेज | सर्ज करंट को समझना | मैक्सिमम एबर्ग्ट (जूल) | विशिष्ट समाई (संदर्भ) | |||||||||||||||||||||||
एसीआरएम एस |
डीसी | वी1.0 एमए | μA | कुलपति | आईपी | एक बार | 2 बार | 10/1000μs | @1 किलोहर्ट्ज़ | ||||||||||||||||||||||
(वी) | (वी) | (वी) | (वी) | (ए) | (ए) | (पीएफ) | |||||||||||||||||||||||||
32D201K | 130 | 170 | 200(185-225) | 40 | 21 | 340 | 200 | 25000 | 20000 | 250 | 5200 | ||||||||||||||||||||
32D241K | 150 | 200 | 240(216-264) | 395 | 290 | 5100 | |||||||||||||||||||||||||
32डी271के | 175 | 225 | 270(243-297) | 455 | 300 | 4800 | |||||||||||||||||||||||||
32डी331के | 210 | 275 | 330(297-363) | 550 | 360 | 4300 | |||||||||||||||||||||||||
32डी361के | 230 | 300 | 360(324-396) | 595 | 380 | 3900 | |||||||||||||||||||||||||
32डी391के | 250 | 320 | 390(351-429) | 650 | 400 | 3200 | |||||||||||||||||||||||||
32डी431के | 275 | 350 | 430(387-473) | 710 | 430 | 3100 | |||||||||||||||||||||||||
32डी471के | 300 | 385 | 470(423-517) | 775 | 460 | 2800 | |||||||||||||||||||||||||
32डी511के | 320 | 415 | 510(459-561) | 845 | 510 | 2700 | |||||||||||||||||||||||||
32डी621के | 385 | 505 | 620(558-682) | 1025 | 570 | 2400 | |||||||||||||||||||||||||
32डी681के | 420 | 560 | 680(612-748) | 1120 | 600 | 2200 | |||||||||||||||||||||||||
32D751K | 460 | 615 | 750(675-825) | 1240 | 620 | 2000 | |||||||||||||||||||||||||
32डी781के | 485 | 640 | 780(702-858) | 1290 | 660 | 1900 | |||||||||||||||||||||||||
32डी821के | 510 | 670 | 820(738-902) | 1355 | 700 | 1800 | |||||||||||||||||||||||||
32D911K | 550 | 745 | 910(819-1001) | 1500 | 750 | 1300 | |||||||||||||||||||||||||
32D951K | 575 | 765 | 950(855-1045) | 1570 | 780 | 1200 | |||||||||||||||||||||||||
32D102K | 625 | 825 | 1000 (900-1100) | 1650 | 810 | 1100 | |||||||||||||||||||||||||
32डी112के | 680 | 895 | 1100(990-1210) | 1815 | 910 | 1000 | |||||||||||||||||||||||||
32D122K | 750 | 990 | 1200(1080-1320) | 1980 | 960 | 920 | |||||||||||||||||||||||||
32D142K | 880 | 1140 | 1400(1260-1540) | 2310 | 1020 | 800 | |||||||||||||||||||||||||
32D162K | 1000 | 1280 | 1600(1440-1760) | 2640 | 1080 | 700 |
विद्युत पैरामीटर
मैक्स।स्वीकार्य वोल्टेज | संदर्भ p2* | 1.0mA डीसी . पर | ||||||||||||||||||||||||||||
Varistor वोल्टेज (30ms के लिए परीक्षण समय) | V0.1mA □ V1mA | |||||||||||||||||||||||||||||
रेटेड वाट क्षमता | ||||||||||||||||||||||||||||||
मैक्स।क्लांपिंग वोल्टेज | टेस्ट करंट वेवफॉर्म 8/20μs | |||||||||||||||||||||||||||||
सर्ज करंट को समझना | टेस्ट करंट वेवफॉर्म 8/20μs | |||||||||||||||||||||||||||||
मैक्स।ऊर्जा | टेस्ट करंट वेवफॉर्म 10/1000μs | |||||||||||||||||||||||||||||
विशिष्ट समाई | @ 1 किलोहर्ट्ज़ | |||||||||||||||||||||||||||||
लीकेज करंट | 80% Varistor वोल्टेज पर | |||||||||||||||||||||||||||||
नॉनलाइनियर एक्सपोनेंट (α) | ||||||||||||||||||||||||||||||
आवेग जीवन | ± 10% (वी 1 एमए) | टेस्ट करंट वेवफॉर्म 8/20μs |
सामग्री की सूची
चित्रकला | ||||||||||||||||||||||||||||||
सामग्री चार्ट RoHs | वस्तु | संघटन | उत्पादक | |||||||||||||||||||||||||||
परत | एपॉक्सी रेजि़न | चीन में निर्मित, और UL 94-V0 परीक्षण के अनुरूप, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करता है | ||||||||||||||||||||||||||||
नेतृत्व करना | घन तार | चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें | ||||||||||||||||||||||||||||
इलेक्ट्रोड | चाँदी | चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें | ||||||||||||||||||||||||||||
डिस्क | ज़िंक ऑक्साइड | चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें | ||||||||||||||||||||||||||||
मिलाप | एसएन: 96.5% सीयू 0.5% Ag3.0% | चीन में निर्मित, पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करें |
यांत्रिक आवश्यकताएँ
समाप्ति की तन्यता | कोई बकाया नुकसान नहीं | 1.0 किग्रा;10 सेकंड। | |||||||||||||||||||||||||||||
समाप्ति का झुकना | कोई बकाया नुकसान नहीं | 0.5Kgf;90°,3 टाइम्स | |||||||||||||||||||||||||||||
कंपन | कोई बकाया नुकसान नहीं | आवृत्ति: 10-55 हर्ट्ज; एएमपी: 0.75 मिमी, 1 मिनट . |
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मिलाप की | न्यूनतम।टर्मिनल का 95% भाग से ढका होना चाहिए मिलाप समान रूप से |
मिलाप अस्थायी: 245 ± 5 ℃ विसर्जित समय: ≤5 सेकेंड। | |||||||||||||||||||||||||||||
टांका लगाने की गर्मी का प्रतिरोध | △ V1mA / V1mA ± 5% |
मिलाप अस्थायी: 260 ± 5 ℃ विसर्जित समय: 10 ± 1 सेकंड। |
पर्यावरणीय आवश्यकताएं
उच्च तापमान भंडारण | △ V1mA / V1mA ± 5% |
परिवेश अस्थायी: 125 ± 2 ℃ अवधि: 1000h | |||||||||||||||||||||||||||||
कम तापमान भंडारण | △ V1mA / V1mA ± 5% |
परिवेश अस्थायी: -40 ± 2 ℃ अवधि: 1000h | |||||||||||||||||||||||||||||
उच्च आर्द्रता भंडारण / नम गर्मी | △ V1mA / V1mA ± 5% |
परिवेश अस्थायी: 40 ± 2 ℃ 90-95% आरएच अवधि: 1000h |
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तापमान चक्र | △ V1mA / V1mA ± 5% |
कदम | तापमान (℃) |
अवधि (मिनट) |
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1 | -40 ± 3 | 30 ± 3 | |||||||||||||||||||||||||||||
2 | कमरे का तापमान | 15 ± 3 | |||||||||||||||||||||||||||||
3 | 85±3 | 30 ± 3 | |||||||||||||||||||||||||||||
4 | कमरे का तापमान | 15 ± 3 | |||||||||||||||||||||||||||||
उच्च तापमान लोड | △ V1mA / V1mA ± 10% |
परिवेश अस्थायी: 85 ± 2 ℃ अवधि: 1000h लोड: मैक्स।स्वीकार्य वोल्टेज |
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उच्च आर्द्रता भार | △ V1mA / V1mA ± 10% |
परिवेश अस्थायी: 40 ± 2 ℃ 90-95%RHDअवधि:1000H लोड: मैक्स।स्वीकार्य वोल्टेज |
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तापमान सीमा संचालित करना | -40 ℃ ~ + 85 ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
स्टोरेज टेंपरेचर रेंज | -40 ℃ ~ + 125 ℃ |
अंकन कोड
मात्रा
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